價(jià)值2W RMB的功放調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，看了老板再也不擔(dān)心我燒管了【轉(zhuǎn)發(fā)】

這里說(shuō)的靜電包含兩層意思,一個(gè)是傳統(tǒng)意義的靜電,另個(gè)是儀器不共地時(shí)存在的電壓差。

夏天空氣較潮濕,靜電較弱,冬天調(diào)試就需要萬(wàn)分注意了,最好是戴上靜電手環(huán)把身上的靜電放掉。如果沒(méi)有放電,直接調(diào)試,看自己運(yùn)氣了,你若先接觸到了功放的地,一般沒(méi)有大問(wèn)題,但是上來(lái)就調(diào)試柵極匹配或偏置電路等,恭喜你,"中獎(jiǎng)"概率直線上升。

調(diào)試前必須檢查下所有用到的儀器設(shè)備是否共地,包括頻譜儀、信號(hào)源、矢網(wǎng)、功率計(jì)、電源、烙鐵等。這些儀器如果不共地,長(zhǎng)時(shí)間工作會(huì)產(chǎn)生很大的電壓差,以前用萬(wàn)用表交流檔測(cè)量過(guò),烙鐵和信號(hào)源之間存在700V左右的交流電壓,用萬(wàn)用表通斷檔測(cè)試,蜂鳴器也響,不過(guò)聲音很奇怪,忽高忽低,而且有點(diǎn)刺耳,與兩個(gè)表筆直接短接時(shí)發(fā)出的聲音差遠(yuǎn)了去了。在這個(gè)問(wèn)題上吃癟過(guò)一次,用信號(hào)源、頻譜儀測(cè)試功放沒(méi)有問(wèn)題,正常工作,用烙鐵移動(dòng)了下輸入匹配電容的位置,再測(cè)試,功放就掛了~

靜電損壞的一般是功放管的柵極,LDMOS表現(xiàn)是沒(méi)有漏極電流,GaN則是漏極電流很大,電源直接限流。

使用大功率功放管時(shí),源極的接地情況對(duì)其壽命影響很大,主要是散熱問(wèn)題。

以前沒(méi)有使用燒結(jié),直接用螺釘將功放管固定在基板上,功率大了時(shí)間一長(zhǎng)很容易把管子燒壞。后來(lái)用焊錫膏和加熱平臺(tái)直接把功放管和基板燒結(jié)在一起,就基本上沒(méi)有因?yàn)檫@個(gè)問(wèn)題燒過(guò)管子。

關(guān)于燒結(jié)再多說(shuō)兩句。燒結(jié)時(shí)把PCB底部的地也涂上焊錫膏一起燒結(jié)到基板上,對(duì)功放性能有很大的改善,主要原因是信號(hào)接地良好。和華為工程師交流過(guò),他們現(xiàn)在所有基站產(chǎn)品功放模塊都用燒結(jié)。

自激是功放殺手,就算不徹底燒毀,也會(huì)影響后續(xù)調(diào)試。以前調(diào)試LDMOS時(shí)很少遇到自激,GaN就很經(jīng)常了。一般解決方法是柵極供電串聯(lián)電阻,或在輸入匹配網(wǎng)絡(luò)里串個(gè)電容并聯(lián)電阻,但這這情況下S11比較難調(diào)。另種情況自激是蓋上屏蔽蓋后出現(xiàn)的,這種情況多因?yàn)槠ヅ洳缓?導(dǎo)致輻射到空間的信號(hào)沿著屏蔽腔返回到功放輸入端,這種情況比較難辦,因?yàn)橐话闶枪Ψ判阅苷{(diào)試差不多了才蓋上屏蔽蓋,實(shí)在搞不定只有在屏蔽腔里面貼吸波材料了。

做功放到現(xiàn)在,貌似蓋上屏蔽蓋都會(huì)對(duì)功放性能產(chǎn)生影響,有時(shí)蓋上蓋子后,外部環(huán)境還會(huì)影響功放,貌似屏蔽蓋沒(méi)啥屏蔽作用。這個(gè)問(wèn)題一直令人很糾結(jié),希望有人能給出除貼吸波材料外的解決方案,如腔體設(shè)計(jì)、功放布局等等,拜謝!

有時(shí)候調(diào)功放會(huì)很令人郁悶,時(shí)間一長(zhǎng)容易注意力不集中,這時(shí)很容易發(fā)生悲劇。如:想了一陣子,有個(gè)思路想驗(yàn)證下,沒(méi)有斷電直接上烙鐵了,曾經(jīng)因?yàn)檫@個(gè)原因燒爆過(guò)一個(gè)管子,直接從功放管中間爆開(kāi)花了。另個(gè)是上斷電先后順序,對(duì)于LDMOS還好一點(diǎn),GaN管子如果沒(méi)有設(shè)計(jì)上電保護(hù)電路,搞錯(cuò)上電順序是很危險(xiǎn)的,電源限流了還好,如果沒(méi)有,那就換管子吧~

以上就是skywalker_1帶給我們的功放方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)了。