世界第五家：中芯國際今年開始研發(fā)7nm工藝！

2017-03-24 by:CAE仿真在線來源:互聯(lián)網(wǎng)

國內(nèi)把半導(dǎo)體技術(shù)作為重點(diǎn)來抓,首先要突破的是3D NAND閃存,這方面主要是長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在做,而在芯片制造工藝方面,國內(nèi)比Intel、三星、TSMC落后的更多,這方面追趕還得看SMIC中芯國際。

日前中芯國際CEO邱慈云表態(tài)今年晚些時(shí)候會(huì)投資研發(fā)7nm工藝,不過他并沒有給出國產(chǎn)7nm工藝問世時(shí)間,考慮到14nm工藝目標(biāo)定在2018-2020年左右,估計(jì)國產(chǎn)的7nm工藝至少也得在2020年之后了。

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中芯國際是國內(nèi)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠,2016年?duì)I收29億美元,同比增長(zhǎng)30%,不過與全球晶圓代工一哥TSMC臺(tái)積電差距還是相當(dāng)大的,后者去年?duì)I收約為300億美元,半導(dǎo)體工藝更是領(lǐng)先——TSMC早就量產(chǎn)16nm FinFET工藝了,今年還會(huì)量產(chǎn)10nm工藝,SIMC目前最先進(jìn)的工藝還是28nm,主力工藝還是40nm、55nm等。

2015年比利時(shí)國王訪華時(shí),中比雙方簽署了一系列合作協(xié)議,其中一條就是中芯國際、華為、高通與比利時(shí)微電子中心IMEC合作研發(fā)14nm FinFET工藝,預(yù)計(jì)會(huì)在2020年之前達(dá)成《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出的16/14納米工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)的目標(biāo)。

中芯國際從28nm直接進(jìn)入14nm,跳過了20nm節(jié)點(diǎn),未來也很有可能跳過10nm節(jié)點(diǎn),直接進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)。該公司CEO邱慈云博士日前對(duì)外表態(tài)稱今年晚些時(shí)候會(huì)投入R&D研發(fā)資金開發(fā)7nm工藝,他還提到近年來中芯國際加大了研發(fā)投入力度,R&D投資占據(jù)公司12-13%的營(yíng)收,2016年資本支出也創(chuàng)紀(jì)錄地達(dá)到了27億美元。

邱博士并沒有提到國內(nèi)7nm工藝的具體情況,目前看來只是開始投入研發(fā)資金,這一點(diǎn)上要比Intel、三星GF、TSMC早幾年就研發(fā)7nm工藝要晚得多,不過他們依然是全球第五家表態(tài)研發(fā)7nm工藝的半導(dǎo)體公司,隨著制程工藝越來越先進(jìn),全球有能力研發(fā)新工藝的晶圓廠越來越少。

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