HFSS激勵和材料設(shè)置

2016-11-05 by:CAE仿真在線來源:互聯(lián)網(wǎng)

激勵設(shè)置

1、波端口

端口是唯一的一種允許能量流入和流出的邊界條件。

阻抗:作為一個阻抗線,這條線作為HFSS在端口對電場進行積分計算電壓的積分路徑。

一般,阻抗線應(yīng)該定義在電壓差值最大方向上的兩點之間,如果要分析多個模式,由于電場的變化,需要對每個模式定義不同的阻抗線。

與背景相接觸的端口通常定義為波端口,波端口周圍默認為理想導體邊界。

2、集總端口

在模型內(nèi)部的端口通常定義為集總端口,周圍默認為理想磁邊界。

3、磁偏置

當創(chuàng)建一個鐵氧體材料時,必須通過分配一個磁偏置來定義內(nèi)部偏置場。

4、材料設(shè)置:

Relative permittivity 相對介電常數(shù)

Relative permeability 相對磁導率

Bulk conductivity 電導率

Dielectric loss tangent 介質(zhì)損耗正切

Magnetic loss tangent 磁損耗正切

Magnetic saturation 磁飽和度

Lande G factor 朗德因子

Delta H 磁共振線寬

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